8749ライターの製作

昨晩、書き込み用高電圧生成回路の動作を想像しながら半完成基板を眺めていて配線漏れを発見。配線先を見たら別の電線が配線されていた。思い返せば、作業中、配線しなおしたやつ。配線しなおさないのが正しい配線だったわけ。ということで、今朝、午前3時におきて(目が覚めてしまって)配線し直しの配線しなおしを1本、配線の追加を1本。完成した姿を下に示す。作業を終えたころ朝刊が配達された。

プログラムを一部修正。書き込み用高電圧生成回路のスイッチング周波数を80kHzに(実測82.3kHz)下げ、調整精度を256段階(物理的には1024段階)にあげる。スイッチを経由したあと8749にかかる電圧を測定したところ、VDDが21.5V、PROGが18.28V、EAが18.29V、これらを論理Hにしたときの電圧とVCCがともに5.05V。いずれも無負荷。書き込み用高電圧は、やや高めだが負荷がかかってちょうどよくなると思う。むしろ、低くなってしまうかもしれない。電源が直接つながっているVCCと電源からショットキダイオードを経由する論理Hが同じ電圧なのも無負荷のせいだと思う。論理Hは、負荷がかかったときの電圧が心配。
広告
カテゴリー: 8749 パーマリンク

コメントを残す

以下に詳細を記入するか、アイコンをクリックしてログインしてください。

WordPress.com ロゴ

WordPress.com アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト / 変更 )

Twitter 画像

Twitter アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト / 変更 )

Facebook の写真

Facebook アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト / 変更 )

Google+ フォト

Google+ アカウントを使ってコメントしています。 ログアウト / 変更 )

%s と連携中